Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis Epreuve : Dispositifs à Semi-conducteur
Classe : 1 ère AGE 1,2,3
Devoir de surveillance Date : 29 Mai 2004
Enseignant : M. ZRIBI
On considère une jonction P+N en faisant croître par épitaxie une coucheP+ de
résistivité 0.01 0Ω. cm sur un substrat N de résistivité 10 Ω. Cm.
1. Calculer le potentiel de diffusion à 300°K.
2. Calculer la largeur de la zone de charge d'espace et son extension côté N et P+
3. Etablir les expressions littérales et représenter les profils du champ électrique et du potentiel, sachant qu'en dehors de la zone de charge d'espace, la jonction est neutre et le potentiel y est constant et égal à crin et trip respectivement dans les régions N et P+.
4. On applique une tension V direct aux bornes de la jonction, calculer le courant de conduction des trous dans le plan x = 0, on donne V = 0.68 volts.
5. Donner l'équation d'évolution, prenant en compte la diffusion et la recombinaison, pour la densité des porteurs minoritaires dans la région 11+ en supposant qu'en est en régime stationnaire.
On donne µn= 1200 cm2.V-1.s-1 µp= 300 cm2.V-1.s-1
εsc= 1,062.10--12 F.cm-1 kT/q = 26
mV
ni = 1010 cm-3.