République Tunisienne

Ministère de l’Enseignement Supérieur, de la Recherche
Scientifique et de la Technologie

Université Tunis El Manar
Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis

 

Matière : semi-conducteurs, supraconducteurs

 

                  1^ère Année  GI                                                                                                          GI      

Professeur : A BOUAZZI                                                        

Date: 12 Avril 2004                       Durée : 30'             Documents autorisés

Test

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Soit un parallélépipède de silicium de type p avec un dopage au bore de 5x10¹⁶ cm^-3 .

1-     Calculer sa résistivité p.

2-     On diffuse du phosphore par une face jusqu'à une certaine profondeur. Le type de conductivité change dans cette région ; on mesure la résistivité sur cette face et on trouve ρ_n = 0.03Ω-cm. Calculer la concentration d'électrons n dans la bande de conduction qui donne cette résistivité.

3-   Calculer la concentration de phosphore dans cette région.

4-     Calculer la largeur de la zone de charge d'espace.

5- Connaissant l'énergie d'extraction et la largeur du gap du silicium, dessiner, à l'échelle, le diagramme de bandes d'une diode Schottky entre un métal et un silicium de type n (la hauteur de barrière étant de 0.5 eV) ; trouver l'énergie d'extraction du métal.

On donne pour le silicium â 300 K :

E_g= 1.12 eV ; µ_n = 2000 cm²/V.s ; = 500 cm²/V.s ;

ni² = 2 10²⁰ cm^-6

x = 4.01 eV,

On donne aussi : k/q = 8.625 10^-5 V/K.