République Tunisienne
Ministère de l’Enseignement Supérieur
Université Tunis El Manar
Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis
Matière : semi-conducteurs, supraconducteurs
1ère Année GI
Professeur : A. BOUAZZI
Date: 04 mai 2005 Durée : 20' Documents non autorisés
TEST
A- Un échantillon de silicium de type n est dopé avec une concentration de 4 1016 donneurs/cm3. On diffuse du bore dans une région de cet échantillon, ce qui a permis de charigee de type de conductivité et d'obtenir une jonction p-n.
1- Calculer la résistivité de la région n.
2- Si la résistivité de la région p obtenue est de 0,5 Ω-cm, calculer la concentration des trous dans la région p
3 -Calculer la concentration du bore dans la région p qui a permis d'atteindre la concentration du 2°)
B- Soit un cristal de silicium de type p. On excite les électrons à un point xo donné, la concentration des électrons dans la bande de conduction est alors donnée par n= n0exp*(x-x0)/L Exprimer le courant de
diffusion en fonction de x.
On donne pour le silicium à 300 K :
µn = 2000 cm2/v.s ; µp = 500 cm2/v.s ;
On donne aussi : q = 1.6 10-19 coulombs.